High Density Nanodot Nonvolatile Memory

WO2008127293 Art A2 23. Oktober 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008127293
Aktenzeichen: EP07873449
Anmeldetag: 17. Oktober 2007
Veröffentlichung: 23. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/8247H01L27/115H01L29/788G11C16/04H01L21/027H01L21/768H01L29/423H01L27/28H01L29/06H01L51/05H01L51/00H01L51/10G11C13/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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