Improved Oxide-Based Field-Effect Transistors

WO2008129238 Art A1 30. Oktober 2008

Anmelder: Imperial Innovations Limited 🇬🇧

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008129238
Aktenzeichen: EP08736962
Anmeldetag: 11. April 2008
Veröffentlichung: 30. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Imperial Innovations Limited
Land: 🇬🇧 Großbritannien

🇬🇧 Imperial Innovations Limited

Britische Technologietransfer- und Beteiligungsgesellschaft, die aus dem Imperial College London hervorging und Ausgründungen in verschiedenen Technologiefeldern finanzierte. Ging später in der IP Group auf.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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