Device and method for state retention power gating

WO2008129362 Art A2 30. Oktober 2008

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008129362
Aktenzeichen: EP07735577
Anmeldetag: 20. April 2007
Veröffentlichung: 30. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H03K17/24H03K21/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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