Leak current detector circuit, body bias control circuit, semiconductor device, and semiconductor device testing method

WO2008129625 Art A1 30. Oktober 2008

Anmelder: Fujitsu Microelectronics Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008129625
Aktenzeichen: EP07741355
Anmeldetag: 10. April 2007
Veröffentlichung: 30. Oktober 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G01R31/28G01R31/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Microelectronics Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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