Mos transistors having high-k offset spacers that reduce external resistance and methods for fabricating the same
WO2008130598
Art A1
30. Oktober 2008
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008130598
- Aktenzeichen
- EP08743006
- Anmeldetag
- 17. April 2008
- Veröffentlichung
- 30. Oktober 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L21/28H01L29/49H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
2.407 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.