A high voltage (>100v) lateral trench power mosfet with low specific-on-resistance

WO2008130691 Art A2 30. Oktober 2008

Anmelder: Rensselaer Polytechnic Institute 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2008130691
Aktenzeichen
EP08799862
Anmeldetag
20. April 2008
Veröffentlichung
30. Oktober 2008
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/335H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Rensselaer Polytechnic Institute
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Rensselaer Polytechnic Institute

Das Rensselaer Polytechnic Institute ist eine private technische Universität mit Sitz in Troy, New York, und eine der ältesten technischen Hochschulen der USA. Das Patentportfolio streut breit über Medizintechnik, Halbleiter und Mess- und Prüftechnik, mit weiteren Anmeldungen in Pharma, Kunststofftechnik und Software. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

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