A high voltage (>100v) lateral trench power mosfet with low specific-on-resistance
WO2008130691
Art A2
30. Oktober 2008
Anmelder: Rensselaer Polytechnic Institute 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008130691
- Aktenzeichen
- EP08799862
- Anmeldetag
- 20. April 2008
- Veröffentlichung
- 30. Oktober 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/335H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rensselaer Polytechnic Institute
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Rensselaer Polytechnic Institute
Das Rensselaer Polytechnic Institute ist eine private technische Universität mit Sitz in Troy, New York, und eine der ältesten technischen Hochschulen der USA. Das Patentportfolio streut breit über Medizintechnik, Halbleiter und Mess- und Prüftechnik, mit weiteren Anmeldungen in Pharma, Kunststofftechnik und Software. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.
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