Methods of forming a stamp, methods of patterning a substrate, and a stamp and a patterning system for same

WO2008131032 Art A1 30. Oktober 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2008131032
Aktenzeichen
EP08746016
Anmeldetag
16. April 2008
Veröffentlichung
30. Oktober 2008
Rechtsraum
WO
IPC
G03F7/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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