Methods of forming a stamp, methods of patterning a substrate, and a stamp and a patterning system for same
WO2008131032
Art A1
30. Oktober 2008
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008131032
- Aktenzeichen
- EP08746016
- Anmeldetag
- 16. April 2008
- Veröffentlichung
- 30. Oktober 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F7/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.