High-voltage metal-oxide semiconductor device and corresponding manufacturing method and implantation mask

WO2008132703 Art A1 6. November 2008

Anmelder: NXP B.V., Eggenkamp, Paulus J.T., Boos, Priscilla W.M., Ludikhuize, Adrianus Willem, Swanenberg, Maarten Jacobus, Van Dalen, Rob, Heringa, Anco 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008132703
Aktenzeichen: EP08738057
Anmeldetag: 1. Mai 2008
Veröffentlichung: 6. November 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/08H01L29/06H01L21/336H01L21/266

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NXP B.V.
Eggenkamp, Paulus J.T.
Boos, Priscilla W.M.
Ludikhuize, Adrianus Willem
Swanenberg, Maarten Jacobus
Van Dalen, Rob
Heringa, Anco
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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