Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2008133167 Art A1 6. November 2008

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008133167
Aktenzeichen: EP08740557
Anmeldetag: 17. April 2008
Veröffentlichung: 6. November 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/822H01L27/04H03K19/00H03K19/094

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von