Thin film transistor and method for preparing the same
WO2008133456
Art A1
6. November 2008
Anmelder: LG Chem, Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008133456
- Aktenzeichen
- EP08753190
- Anmeldetag
- 25. April 2008
- Veröffentlichung
- 6. November 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LG Chem, Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
LG Chem
Südkoreanisches Chemieunternehmen, das Batteriematerialien, Kunststoffe, petrochemische Produkte und pharmazeutische Wirkstoffe herstellt.
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