Magnetic Floating Gate Flash Memory Structures

WO2008134075 Art A1 6. November 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008134075
Aktenzeichen: EP08754147
Anmeldetag: 30. April 2008
Veröffentlichung: 6. November 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L43/08H01L43/12C23C16/18G11C11/15G11C11/16H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von