Method for forming a planar stacked gate nonvolatile semiconductor memory device having a floating gate electrode and devices obtained thereof

WO2008135554 Art A1 13. November 2008

Anmelder: IMEC 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008135554
Aktenzeichen: EP08759418
Anmeldetag: 5. Mai 2008
Veröffentlichung: 13. November 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/8247H01L27/115H01L29/788

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IMEC
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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