Esd protection device and method of forming an esd protection device

WO2008135812 Art A1 13. November 2008

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc., Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.) 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008135812
Aktenzeichen: EP07805088
Anmeldetag: 4. Mai 2007
Veröffentlichung: 13. November 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/331H01L29/06H01L29/08H01L29/10H01L29/735H01L27/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Freescale Semiconductor, Inc.
Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.)
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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🇫🇷 Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)

Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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