Method of annealing semiconductor device having silicon carbide substrate and semiconductor device

WO2008136126 Art A1 13. November 2008

Anmelder: Canon Anelva Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2008136126
Aktenzeichen
EP07742567
Anmeldetag
20. April 2007
Veröffentlichung
13. November 2008
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/265
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Canon Anelva Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Canon Anelva

Canon Anelva ist ein japanischer Hersteller von Vakuum- und Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie und Teil des Canon-Konzerns. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie und Oberflächentechnik, ergänzt um Schaltungstechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2024 ab.

421 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen