Schottky electrode in diamond semiconductor element, and process for producing the same

WO2008136259 Art A1 13. November 2008

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008136259
Aktenzeichen: EP08740371
Anmeldetag: 14. April 2008
Veröffentlichung: 13. November 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28C22C5/04H01B5/14H01L29/47H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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