Constructions and devices including tantalum oxide layers on niobium nitride and methods for producing the same

WO2008137401 Art A1 13. November 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008137401
Aktenzeichen: EP08754951
Anmeldetag: 29. April 2008
Veröffentlichung: 13. November 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01G4/12H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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