Light emitting diode device layer structure using an indium gallium nitride contact layer

WO2008137573 Art A1 13. November 2008

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008137573
Aktenzeichen: EP08747379
Anmeldetag: 1. Mai 2008
Veröffentlichung: 13. November 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/15

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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