Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

WO2008139897 Art A1 20. November 2008

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008139897
Aktenzeichen: EP08740887
Anmeldetag: 25. April 2008
Veröffentlichung: 20. November 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/28H01L21/768H01L29/423H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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