Variable resistive element, method for manufacturing the variable resistive element and nonvolatile semiconductor storage device

WO2008142919 Art A1 27. November 2008

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008142919
Aktenzeichen: EP08739962
Anmeldetag: 7. April 2008
Veröffentlichung: 27. November 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10G11C13/00H01L45/00H01L49/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.808 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von