Floating-Body Dram Cell Capacitively Coupled To an Electrode in an Sti Region And Fabrication Method Thereof

WO2008145186 Art A1 4. Dezember 2008

Anmelder: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, Freescale Semiconductor, Inc. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008145186
Aktenzeichen: EP07729717
Anmeldetag: 31. Mai 2007
Veröffentlichung: 4. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L29/78G11C11/401H01L21/763H01L27/12H01L27/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.413 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von