Method for manufacturing laminated structure of insulator and silicon, laminated structure of insulator and silicon and detecting device

WO2008146581 Art A1 4. Dezember 2008

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008146581
Aktenzeichen: EP08752420
Anmeldetag: 8. Mai 2008
Veröffentlichung: 4. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C03C27/02G01N21/03G01N37/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von