Field-effect transistor and integrated circuit including the same

WO2008146586 Art A1 4. Dezember 2008

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008146586
Aktenzeichen: EP08752490
Anmeldetag: 9. Mai 2008
Veröffentlichung: 4. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L29/423H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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