Method for manufacturing gan-based nitride semiconductor self-supporting substrate
WO2008146699
Art A1
4. Dezember 2008
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008146699
- Aktenzeichen
- EP08764508
- Anmeldetag
- 22. Mai 2008
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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