Method for pretreating inner space of chamber in plasma nitridation, plasma processing method and plasma processing apparatus

WO2008146805 Art A1 4. Dezember 2008

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008146805
Aktenzeichen: EP08776899
Anmeldetag: 27. Mai 2008
Veröffentlichung: 4. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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