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WO2008146829 Art A1 4. Dezember 2008

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008146829
Aktenzeichen: EP08764786
Anmeldetag: 28. Mai 2008
Veröffentlichung: 4. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G02F1/13357G02B5/20G02F1/1335H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von