Methods and devices employing metal layers in gates to introduce channel strain

WO2008147433 Art A2 4. Dezember 2008

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008147433
Aktenzeichen: EP07875036
Anmeldetag: 16. Oktober 2007
Veröffentlichung: 4. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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