Radical oxidation process for fabricating a nonvolatile charge trap memory device

WO2008147541 Art A1 4. Dezember 2008

Anmelder: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008147541
Aktenzeichen: EP08767860
Anmeldetag: 23. Mai 2008
Veröffentlichung: 4. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cypress Semiconductor

Cypress Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2020 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiter und Nachrichtentechnik, ergänzt durch Datenspeicherung. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2024.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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