Method for manufacturing thin film transistor, method for manufacturing liquid crystal display, and method for forming electrode
WO2008149833
Art A1
11. Dezember 2008
Anmelder: ULVAC, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008149833
- Aktenzeichen
- EP08777076
- Anmeldetag
- 2. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 11. Dezember 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L21/28H01L21/336H01L29/423H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ULVAC, INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
ULVAC
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.
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