Channel Strain Engineering in Field-Effect-Transistor

WO2008150557 Art A1 11. Dezember 2008

Anmelder: International Business Machines Corporation, Infineon Technologies North America Corp., International Business Machines Corporation IBM 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008150557
Aktenzeichen: EP08728426
Anmeldetag: 29. Januar 2008
Veröffentlichung: 11. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L29/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: International Business Machines Corporation
Infineon Technologies North America Corp.
International Business Machines Corporation IBM
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

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🇺🇸 Infineon Technologies North America

Infineon Technologies North America ist die US-amerikanische Tochtergesellschaft des deutschen Halbleiterkonzerns Infineon Technologies. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeicherung und Schaltungstechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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