Gapfill extension of hdp-cvd integrated process modulation sio2 process
WO2008150900
Art A1
11. Dezember 2008
Anmelder: Applied Materials, Inc., Lee, Young S 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008150900
- Aktenzeichen
- EP08756455
- Anmeldetag
- 29. Mai 2008
- Veröffentlichung
- 11. Dezember 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/31H01L21/469
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Applied Materials, Inc.
Lee, Young S - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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