Methods of fabricating electronic devices using direct copper plating

WO2008151104 Art A1 11. Dezember 2008

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008151104
Aktenzeichen: EP08756589
Anmeldetag: 2. Juni 2008
Veröffentlichung: 11. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/288C25D7/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von