P-Gan/algan/aln/gan Enhancement-Mode Field Effect Transistor

WO2008151138 Art A1 11. Dezember 2008

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008151138
Aktenzeichen: EP08769980
Anmeldetag: 2. Juni 2008
Veröffentlichung: 11. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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