Photomasks used to fabricate integrated circuitry, finished-construction binary photomasks used to fabricate integrated circuitry, methods of forming photomasks, and methods of photolithographically patterning substrates

WO2008154108 Art A1 18. Dezember 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008154108
Aktenzeichen: EP08755371
Anmeldetag: 13. Mai 2008
Veröffentlichung: 18. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G03F1/00G03F1/08G03F1/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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