Programming error correction code into a solid state memory device with varying bits per cell

WO2008154134 Art A1 18. Dezember 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008154134
Aktenzeichen: EP08756014
Anmeldetag: 21. Mai 2008
Veröffentlichung: 18. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G06F11/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung

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