Tri-Layer Resist Damascene Via And Trench Patterning in Integrated Circuits
WO2008154320
Art A1
18. Dezember 2008
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008154320
- Aktenzeichen
- EP08770248
- Anmeldetag
- 6. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3205H01L21/28H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
4.306 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.