Semiconductor device

WO2008156070 Art A1 24. Dezember 2008

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008156070
Aktenzeichen: EP08777257
Anmeldetag: 17. Juni 2008
Veröffentlichung: 24. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/337H01L21/8222H01L21/8248H01L27/06H01L29/739H01L29/80H01L29/808H01L29/861

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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