Minimization of mask undercut on deep silicon etch
WO2008157018
Art A1
24. Dezember 2008
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008157018
- Aktenzeichen
- EP08769994
- Anmeldetag
- 2. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 24. Dezember 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.