Circuit, biasing scheme and fabrication method for diode accessed cross-point resistive memory array

WO2008157049 Art A1 24. Dezember 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008157049
Aktenzeichen: EP08770149
Anmeldetag: 5. Juni 2008
Veröffentlichung: 24. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/02H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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