High Voltage Esd Protection Featuring Pnp Bipolar Junction Transistor

WO2008157315 Art A2 24. Dezember 2008

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008157315
Aktenzeichen: EP08770968
Anmeldetag: 13. Juni 2008
Veröffentlichung: 24. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/04H01L21/82

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

4.306 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von