Heat treatment apparatus and process for producing semiconductor device

WO2009001466 Art A1 31. Dezember 2008

Anmelder: Fujitsu Microelectronics Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009001466
Aktenzeichen: EP07767830
Anmeldetag: 28. Juni 2007
Veröffentlichung: 31. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/312H01L21/027H01L21/8246H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Microelectronics Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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