Semiconductor device and method for manufacturing the same

WO2009001780 Art A1 31. Dezember 2008

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2009001780
Aktenzeichen
EP08777491
Anmeldetag
20. Juni 2008
Veröffentlichung
31. Dezember 2008
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/768H01L21/316H01L21/822H01L23/522H01L27/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Rohm Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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