Growth of indium gallium nitride (ingan) on porous gallium nitride (gan) template by metal-organic chemical vapor deposition (mocvd)

WO2009002277 Art A1 31. Dezember 2008

Anmelder: National University of Singapore, Agency for Science, Technology and Research 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009002277
Aktenzeichen: EP08767310
Anmeldetag: 27. Juni 2008
Veröffentlichung: 31. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20

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Firmen: National University of Singapore
Agency for Science, Technology and Research
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

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Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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