Method for fabricating a 3-d integrated circuit using a hard mask of silicon-oxynitride on amorphous carbon

WO2009003091 Art A1 31. Dezember 2008

Anmelder: Sandisk Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009003091
Aktenzeichen: EP08772011
Anmeldetag: 26. Juni 2008
Veröffentlichung: 31. Dezember 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/331H01L21/82H01L29/76

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sandisk Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von