Trench gate field-effect transistor and method of making the same

WO2009004583 Art A1 8. Januar 2009

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009004583
Aktenzeichen: EP08763444
Anmeldetag: 2. Juli 2008
Veröffentlichung: 8. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/423H01L29/06H01L29/417H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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