Semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2009004919 Art A1 8. Januar 2009

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009004919
Aktenzeichen: EP08777296
Anmeldetag: 11. Juni 2008
Veröffentlichung: 8. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8247G06K19/077H01L21/336H01L27/10H01L27/115H01L29/786H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

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