High Frequency Wiring Material

WO2009004989 Art A1 8. Januar 2009

Anmelder: Tokyo Institute of Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009004989
Aktenzeichen: EP08777660
Anmeldetag: 27. Juni 2008
Veröffentlichung: 8. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01B7/30H01B7/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Institute of Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Institute of Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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