Negative n-epi biasing sensing and high side gate driver output spurious turn-on prevention due to n-epi p-sub diode conduction during n-epi negative transient voltage

WO2009005697 Art A1 8. Januar 2009

Anmelder: International Rectifier Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009005697
Aktenzeichen: EP08768803
Anmeldetag: 27. Juni 2008
Veröffentlichung: 8. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: G05F1/44

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: International Rectifier Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 International Rectifier

International Rectifier war ein US-amerikanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, der 2015 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Steuerungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2015.

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Fachgebiete

Steuerungs- & Regelungstechnik

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