Method to form a rewriteable memory cell comprising a diode and a resistivity-switching grown oxide

WO2009005706 Art A2 8. Januar 2009

Anmelder: SanDisk 3D LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009005706
Aktenzeichen: EP08768811
Anmeldetag: 27. Juni 2008
Veröffentlichung: 8. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/10H01L27/02G11C11/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk 3D LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk 3D

SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.

308 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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