Coupling layer composition for a semiconductor device, semiconductor device, method of forming the coupling layer, and apparatus for the manufacture of a semiconductor device

WO2009007793 Art A1 15. Januar 2009

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009007793
Aktenzeichen: EP07826157
Anmeldetag: 9. Juli 2007
Veröffentlichung: 15. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.413 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von