Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

WO2009008082 Art A1 15. Januar 2009

Anmelder: Fujitsu Microelectronics Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2009008082
Aktenzeichen: EP07790677
Anmeldetag: 12. Juli 2007
Veröffentlichung: 15. Januar 2009
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/8238H01L27/092

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fujitsu Microelectronics Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.

17.891 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von